低頻段（<30MHz）的EMI噪聲主要以傳導(dǎo)干擾為主。此頻段的噪聲主要通過(guò)電源線、信號(hào)線等導(dǎo)體傳播，典型來(lái)源包括：
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開(kāi)關(guān)電源（SMPS）噪聲（幾十kHz
~
10MHz）。噪聲來(lái)源主要包括：開(kāi)關(guān)管（MOSFET/IGBT）的快速導(dǎo)通/關(guān)斷（di/dt,
dv/dt）；整流二極管的反向恢復(fù)電流；變壓器/電感的寄生電容和漏感。噪聲的典型表現(xiàn)為基頻（開(kāi)關(guān)頻率，如100kHz）及其諧波，共模（CM）和差模（DM）噪聲。
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電機(jī)與變頻器噪聲（幾kHz
~ 幾MHz
）。噪聲來(lái)源主要包括：電刷火花（直流電機(jī)）；PWM驅(qū)動(dòng)的變頻器（IGBT開(kāi)關(guān)噪聲）；電機(jī)繞組的寄生電容耦合。
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數(shù)字電路的時(shí)鐘諧波（幾MHz
~ 30MHz）。
噪聲來(lái)源主要包括：微處理器、FPGA的時(shí)鐘信號(hào)（如16MHz晶振的諧波）；高速數(shù)據(jù)線（USB、LVDS）的邊沿輻射。
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工頻諧波（50/60Hz及其倍頻）噪聲來(lái)源主要包括：非線性負(fù)載（如整流電路）導(dǎo)致電網(wǎng)電流畸變；變壓器磁芯飽和
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