在BUCK電路中，由于開關(guān)管（MOSFET）的高速切換（高 di/dt 和 dv/dt），會(huì)產(chǎn)生顯著的 傳導(dǎo) EMI（<30MHz）和 輻射 EMI（>30MHz）。為了優(yōu)化 EMI 性能，可以從電路設(shè)計(jì)、PCB 布局、濾波和屏蔽等方面入手。

電路設(shè)計(jì)方面可以選擇優(yōu)化開關(guān)特性，從而降低噪聲源強(qiáng)度，具體方法為降低開關(guān)邊沿速率，可以通過增大自舉電阻（Rbst） 以減緩 MOSFET 開關(guān)速度（降低 dv/dt），從而降低高頻噪聲（>30MHz），但可能增加開關(guān)損耗（需折衷考慮）。 此外可以選擇優(yōu)化開關(guān)頻率具體方法為：選擇非整數(shù)倍頻（如 1.2MHz 而非 1MHz），避免與敏感頻段重疊。 也可以采用頻率抖動(dòng)（Spread Spectrum）技術(shù)，分散噪聲能量。這些方法可降低峰值 EMI，但可能影響環(huán)路穩(wěn)定性（需測試驗(yàn)證）。

優(yōu)化 PCB 布局可以減少高頻環(huán)路輻射，具體方法為最小化高頻電流環(huán)路面積，對于上一節(jié)提到的關(guān)鍵環(huán)路，將輸入電容（Cin）盡量靠近 MOSFET（減小高頻電流路徑），同時(shí)可以使用低 ESL（等效串聯(lián)電感）電容（如 MLCC）。采用多層板可以提供低阻抗地平面，減小關(guān)鍵環(huán)路。此外，可以通過優(yōu)化地平面設(shè)計(jì)改善EMI，具體方法為：單點(diǎn)接地（避免地彈噪聲；避免地平面分割，防止高頻噪聲耦合；MOSFET 源極直接連接到地平面（減少寄生電感）。 同時(shí)，可以通過優(yōu)化電感與走線改善EMI效果。電感靠近 MOSFET 和續(xù)流二極管（減小輻射環(huán)路）；避免長走線，特別是高 di/dt 路徑（如 SW 節(jié)點(diǎn)）；使用銅箔屏蔽 SW 節(jié)點(diǎn)（減少高頻輻射）。

增加EMI濾波器可以有效抑制傳導(dǎo) EMI。輸入濾波方面，可以使用 π 型濾波（LC + 共模扼流圈）從而抑制差模（DM）和共模（CM）噪聲。X 電容（差模濾波） + Y 電容（共模濾波） 組合使用。增加輸入鐵氧體磁珠 抑制高頻噪聲。輸出濾波方面，可以通過增加輸出電容（低 ESR/ESL） 減少紋波和噪聲，也可以串聯(lián)小電感或磁珠抑制高頻噪聲。共模噪聲抑制方面可以添加共模扼流圈（CMC） 抑制共模電流；可以通過使用Y 電容連接輸入/輸出至機(jī)殼地（提供共模噪聲回流路徑）。

屏蔽接地的放大主要用于減少輻射噪聲，可以使用屏蔽電感（如一體成型電感）減少磁場輻射。 局部屏蔽方面，可以在 SW 節(jié)點(diǎn)、電感等高頻區(qū)域加銅箔或金屬屏蔽罩或者使用導(dǎo)電泡棉或?qū)щ娔z帶封閉縫隙。此外，優(yōu)化機(jī)殼接地，確保機(jī)殼良好接地可以提供較好的低阻抗路徑；避免浮地設(shè)計(jì)，可以有效防止共模噪聲耦合。