ZHCSIK4B January 2017 – November 2018 DRV8886AT
PRODUCTION DATA.
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VM、DVDD、AVDD） | ||||||
| VVM | VM 工作電壓 | 8 | 37 | V | ||
| IVM | VM 工作電源電流 | ENABLE = 1，nSLEEP = 1，無電機(jī)負(fù)載 | 5 | 8 | mA | |
| IVMQ | VM 休眠模式電源電流 | nSLEEP = 0；TA = 25°C | 20 | μA | ||
| nSLEEP = 0；TA = 125°C(1) | 40 | |||||
| tSLEEP | 休眠時(shí)間 | nSLEEP = 0 至休眠模式 | 50 | 200 | μs | |
| tWAKE | 喚醒時(shí)間 | nSLEEP = 1 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.85 | 1.5 | ms | |
| tON | 開通時(shí)間 | VM > UVLO 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.85 | 1.5 | ms | |
| VDVDD | 內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓 | 0 至 1mA 外部負(fù)載 | 2.9 | 3.3 | 3.6 | V |
| VAVDD | 內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓 | 無外部負(fù)載 | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
| 電荷泵（VCP、CPH、CPL） | ||||||
| VVCP | VCP 工作電壓 | VM + 5.5 | V | |||
| 邏輯電平輸入（STEP、DIR、ENABLE、nSLEEP、M1） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.8 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.6 | 5.3 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 200 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
| RPD | 下拉電阻 | 連接至 GND | 100 | kΩ | ||
| tPD(1) | 傳播延遲 | STEP 到電流變化 | 1.2 | μs | ||
| 三電平輸入（M0、TRQ） | ||||||
| VIL | 三電平輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.65 | V | ||
| VIZ | 三電平輸入高阻態(tài)電壓 | 0.95 | 1.1 | 1.25 | V | |
| VIH | 三電平輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.3 | V | ||
| IIL | 三電平輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | –90 | μA | ||
| IIH | 三電平輸入邏輯高電平電流 | VIN = 5V | 155 | μA | ||
| RPD | 三電平下拉電阻 | VIN = 高阻態(tài)，連接至 GND | 65 | kΩ | ||
| RPU | 三電平上拉電阻 | VIN = 高阻態(tài)，連接至 DVDD | 130 | kΩ | ||
| 四電平輸入 (DECAY) | ||||||
| VI1 | 四電平輸入電壓 1 | 可通過 1% 5kΩ 電阻器連接至 GND 進(jìn)行設(shè)置 | 0 | 0.14 | V | |
| VI2 | 四電平輸入電壓 2 | 可通過 1% 15kΩ 電阻器連接至 GND 進(jìn)行設(shè)置 | 0.24 | 0.46 | V | |
| VI3 | 四電平輸入電壓 3 | 可通過 1% 44.2kΩ 電阻器連接至 GND 進(jìn)行設(shè)置 | 0.71 | 1.24 | V | |
| VI4 | 四電平輸入電壓 4 | 可通過 1% 133kΩ 電阻器連接至 GND 進(jìn)行設(shè)置 | 2.12 | 5.3 | V | |
| IO | 輸出電流 | 連接至 GND | 17 | 22 | 27.25 | μA |
| 控制輸出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | IO = 1mA，RPULLUP = 4.7kΩ | 0.5 | V | ||
| IOH | 輸出邏輯高電平泄漏電流 | VO = 5V，RPULLUP = 4.7kΩ | -1 | 1 | μA | |
| 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2） | ||||||
| RDS(ON) | 高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | VM = 24V，I = 1.4A，TA = 25°C | 290 | 346 | mΩ | |
| RDS(ON) | 低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | VM = 24V，I = 1.4A，TA = 25°C | 260 | 320 | mΩ | |
| tRISE(1) | 輸出上升時(shí)間 | 100 | ns | |||
| tFALL(1) | 輸出下降時(shí)間 | 100 | ns | |||
| tDEAD(1) | 輸出死區(qū)時(shí)間 | 200 | ns | |||
| Vd(1) | 體二極管正向電壓 | IOUT = 0.5A | 0.7 | 1 | V | |
| PWM 電流控制 (RREF) | ||||||
| ARREF | RREF 跨阻增益 | 28.1 | 30 | 31.9 | kAΩ | |
| VRREF | RREF 電壓 | RREF = 18 至 132kΩ | 1.18 | 1.232 | 1.28 | V |
| tOFF | PWM 關(guān)斷時(shí)間 | 20 | μs | |||
| CRREF | RREF 上的等效電容 | 10 | pF | |||
| tBLANK | PWM 消隱時(shí)間 | IRREF = 2.0A，63% 至 100% 電流設(shè)置 | 1.5 | µs | ||
| IRREF = 2.0A，0% 至 63% 電流設(shè)置 | 1 | |||||
| ΔITRIP | 電流跳變精度 | IRREF = 1.5A，10% 至 20% 電流設(shè)置，1% 基準(zhǔn)電阻 | -15% | 15% | ||
| IRREF = 1.5A，20% 至 63% 電流設(shè)置，1% 基準(zhǔn)電阻 | -10% | 10% | ||||
| IRREF = 1.5A，71% 至 100% 電流設(shè)置，1% 基準(zhǔn)電阻 | –6.25% | 6.25% | ||||
| 保護(hù)電路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO | VM 下降，UVLO 報(bào)告 | 7 | 7.8 | V | |
| VM 上升，UVLO 恢復(fù) | 7.2 | 8 | ||||
| VUVLO,HYS | 欠壓遲滯 | 上升至下降閾值 | 200 | mV | ||
| VCPUV | 電荷泵欠壓 | VCP 下降；CPUV 報(bào)告 | VM + 2 | V | ||
| IOCP | 過流保護(hù)跳閘電流水平 | 流經(jīng)任何 FET 的電流 | 3 | A | ||
| tOCP(1) | 過流抗尖峰時(shí)間 | 1.3 | 1.9 | 2.8 | μs | |
| tRETRY | 過流重試時(shí)間 | 1 | 1.6 | ms | ||
| TTSD(1) | 熱關(guān)斷溫度 | 裸片溫度 TJ | 150 | °C | ||
| THYS(1) | 熱關(guān)斷遲滯 | 裸片溫度 TJ | 20 | °C | ||