ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
PRODUCTION DATA
MCF8329HS-Q1 針對許多故障事件提供了保護功能,包括電機鎖定、PVDD 欠壓、AVDD 欠壓、GVDD 欠壓、自舉欠壓、過熱和過流事件。表 7-6 總結(jié)了不同故障的響應(yīng)、恢復(fù)模式、柵極驅(qū)動器狀態(tài)、報告機制。
| 故障 | 條件 | 配置 | 報告 | 柵極驅(qū)動器 | 邏輯 | 恢復(fù) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PVDD 欠壓 (PVDD_UV) |
VPVDD < VPVDD_UV | — | nFAULT | 禁用 | 禁用 | 自動: VPVDD > VPVDD_UV |
| AVDD POR (AVDD_POR) |
VAVDD < VAVDD_POR | — | nFAULT | 禁用 | 禁用 | 自動: VAVDD > VAVDD_POR |
| GVDD 欠壓 (GVDD_UV) |
VGVDD < VGVDD_UV | GVDD_UV_MODE = 0b | nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| GVDD_UV_MODE = 1b | nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| BSTx 欠壓 (BST_UV) |
VBSTx - VSHx < VBST_UV |
DIS_BST_FLT = 0b BST_UV_MODE = 0b |
nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
|
DIS_BST_FLT = 0b BST_UV_MODE = 1b |
nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| VDS 過流 (VDS_OCP) |
VDS > VSEL_VDS_LVL |
DIS_VDS_FLT = 0b VDS_FLT_MODE = 0b |
nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
|
DIS_VDS_FLT = 0b VDS_FLT_MODE = 1b |
nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| VSENSE 過流 (SEN_OCP)VSENSE 過流 (SEN_OCP) |
VSP > VSENSE_LVL |
DIS_SNS_FLT = 0b SNS_FLT_MODE = 0b |
nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
|
DIS_SNS_FLT = 0b SNS_FLT_MODE = 1b |
nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| 3 電機鎖定 (MTR_LCK) |
電機鎖定:速度異常;無電機鎖定;BEMF 異常 | MTR_LCK_MODE = 000b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| MTR_LCK_MODE = 001b 或 010b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 低側(cè)制動 | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| MTR_LCK_MODE = 011b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| MTR_LCK_MODE = 100b 或 101b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 低側(cè)制動 | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| MTR_LCK_MODE = 110b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| MTR_LCK_MODE = 111b | 無 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT) |
相電流 > HW_LOCK_ILIMIT | HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 000b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 001b 或 010b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 低側(cè)制動 | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 011b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 100b 或 101b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 低側(cè)制動 | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 110b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 111b | 無 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| 基于 ADC 的鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT) |
相電流 > LOCK_ILIMIT | LOCK_ILIMIT_MODE = 000b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| LOCK_ILIMIT_MODE = 001b 或 010b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 低側(cè)制動 | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| LOCK_ILIMIT_MODE = 011b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| LOCK_ILIMIT_MODE = 100b 或 101b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 低側(cè)制動 | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| LOCK_ILIMIT_MODE = 110b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| LOCK_ILIMIT_MODE = 111b | 無 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| MPET 反電動勢故障 (MPET_BEMF_FAULT) |
電機反電動勢 < STAT_DETECT_THR | MPET_CMD = 1 或 MPET_KE = 1 |
nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 高阻態(tài) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| 最大 VPVDD(過壓)故障 | VPVDD > MAX_VM_MOTOR(如果 MAX_VM_MOTOR ≠ 000b) | MAX_VM_MODE = 0b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| MAX_VM_MODE = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 自動: (VVM < MAX_VM_MOTOR - VOLTAGE_HYSTERESIS) V |
||
| 最小 VPVDD(欠壓)故障 | VPVDD < MIN_VM_MOTOR(如果 MIN_VM_MOTOR ≠ 000b) | MIN_VM_MODE = 0b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| MIN_VM_MODE = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平 (1)(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 自動: (VVM > MIN_VM_MOTOR + VOLTAGE_HYSTERESIS) V |
||
| 電流環(huán)路飽和 | 表示由于 VVM 較低而導(dǎo)致電流環(huán)路飽和 | SATURATION_FLAGS_EN = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 活動狀態(tài);電機速度/功率/電流可能無法達到基準 | 有效 | 自動:電機在退出飽和狀態(tài)時達到基準工作點 |
| 速度/功率環(huán)路飽和 | 表示由于 VVM 較低、ILIMIT 設(shè)置較低等而導(dǎo)致速度/功率環(huán)路飽和。 | SATURATION_FLAGS_EN = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 活動狀態(tài);電機速度/功率可能無法達到基準 | 有效 | 自動:電機在退出飽和狀態(tài)時達到基準工作點 |
| 外部看門狗故障 | 看門狗觸發(fā)之間的時間 > EXT_WD_CONFIG | EXT_WD_EN = 1bEXT_WD_FAULT_MODE = 0b 且 LIMP_HOME_EN = 0b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 |
| EXT_WD_EN = 1bEXT_WD_FAULT_MODE = 0b 且 LIMP_HOME_EN = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 有效(基準以當前值鎖存,直至 CLR_FLT) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| EXT_WD_EN = 1bEXT_WD_FAULT_MODE = 1b 且 LIMP_HOME_EN = 0b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| EXT_WD_EN = 1bEXT_WD_FAULT_MODE = 1b 且 LIMP_HOME_EN = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 有效(基準以 REF_OFF1 鎖存) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| EEPROM 故障 | 指示 EEPROM 內(nèi)容錯誤/不匹配;只要發(fā)出 EEPROM 讀取命令,就會進行內(nèi)容評估 | EEP_FAULT_MODE = 0b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| EEP_FAULT_MODE = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| I2C CRC 故障 | 將 I2C 事務(wù)中的錯誤指示為 CRC 不匹配 | I2C_CRC_ERR_MODE = 0b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| I2C_CRC_ERR_MODE = 1b | nFAULT 和 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| 空運行檢測 | 請參閱節(jié) 7.3.23.14 | DRY_RUN_MODE = 00b | 無 | 有效 | 有效 | 無操作 |
| DRY_RUN_MODE = 01b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 有效 | 有效 | 無操作 | ||
| DRY_RUN_MODE = 10b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 重試: tLCK_RETRY |
||
| DRY_RUN_MODE = 11b | nFAULT 和 CONTROLLER_FA ULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài)) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
||
| 熱關(guān)斷 (TSD) |
TJ > TTSD | OTS_AUTO_RECOVERY = 0b | nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài))(1) | 有效 | 鎖存: CLR_FLT |
| OTS_AUTO_RECOVERY = 1b | nFAULT 和 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器 | 拉至低電平(MOSFET 處于高阻態(tài))(1) | 有效 | 自動: TJ < TOTSD – THYS |