ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 低側(cè)電流檢測放大器
- 7.3.5 器件接口模式
- 7.3.6 電機控制輸入選項
- 7.3.7 自舉電容器初始充電
- 7.3.8 在不同初始條件下啟動電機
- 7.3.9 電機啟動順序 (MSS)
- 7.3.10 閉環(huán)運行
- 7.3.11 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
- 7.3.12 弱磁控制
- 7.3.13 電機參數(shù)
- 7.3.14 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.15 單霍爾傳感器運行
- 7.3.16 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.17 主動制動
- 7.3.18 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 7.3.19 死區(qū)時間補償
- 7.3.20 電壓檢測調(diào)節(jié)
- 7.3.21 電機停止運轉(zhuǎn)選項
- 7.3.22 FG 配置
- 7.3.23
保護功能
- 7.3.23.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.23.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.23.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.23.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.23.5 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 7.3.23.6 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 7.3.23.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.23.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.23.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.23.10 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.23.11 電機鎖定檢測
- 7.3.23.12 MPET 故障
- 7.3.23.13 IPD 故障
- 7.3.23.14 空運行檢測
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 8 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 9 RAM（易失性）寄存器映射
- 10典型應(yīng)用
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRY|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRY|32
訂購信息
7.3.12 弱磁控制
PMSM 電機不僅可以在低于基速（通常為額定速度）的恒定扭矩區(qū)域中運行，還可以在高于基速的恒定功率區(qū)域中運行，但基速會根據(jù)電流和電壓限制而變化。MCF8329HS-Q1提供弱磁控制，以將速度提高至高于電機額定速度?？梢詫?1b 設(shè)置為 FLUX_WEAKENING_EN 來啟用弱磁。弱磁控制使用 PI 控制環(huán)路（如圖 7-34 所示）來創(chuàng)建 Idref。弱磁環(huán)路的 Kp 和 Ki 系數(shù)通過 FLUX_WEAKENING_KP 和 FLUX_WEAKENING_KI 進行配置。
通過配置 FLUX_WEAKENING_CURRENT_RATIO，可以將弱磁電流基準(zhǔn) (Id_FW) 的絕對最大值限制為占 ILIMIT 的百分比。如果 FLUX_WEAKENING_CURRENT_RATIO = 0b，則僅存在循環(huán)限制，在此情況下，iq2 + id2 限制為 ILIMIT。如果 Id_FW 絕對值增加，則 iq 將減小以滿足循環(huán)限制。
用戶可配置調(diào)制指數(shù)基準(zhǔn) Vs_ref（如方程式 11 所示），低于此基準(zhǔn)時，弱磁將處于非活動狀態(tài)，并且 Id_FW 變?yōu)榱恪４伺渲迷?FLUX_WEAKENING_REFERENCE 位中提供。
方程式 11.
Idref 會是零或者弱磁或 MTPA 的 id 基準(zhǔn)的最小值。
圖 7-34 弱磁控制