ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
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MCF8329HS-Q1器件集成了三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。電荷泵用于生成 GVDD,以便在寬工作電壓范圍內(nèi)提供正確的柵極偏置電壓。低側(cè)柵極輸出由 GVDD 直接驅(qū)動,而高側(cè)柵極輸出使用帶有集成二極管的自舉電路驅(qū)動,內(nèi)部涓流電荷泵支持 100% 占空比運行。