ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅動器
- 7.3.2 柵極驅動架構
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 低側電流檢測放大器
- 7.3.5 器件接口模式
- 7.3.6 電機控制輸入選項
- 7.3.7 自舉電容器初始充電
- 7.3.8 在不同初始條件下啟動電機
- 7.3.9 電機啟動順序 (MSS)
- 7.3.10 閉環(huán)運行
- 7.3.11 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
- 7.3.12 弱磁控制
- 7.3.13 電機參數(shù)
- 7.3.14 電機參數(shù)提取工具 (MPET)
- 7.3.15 單霍爾傳感器運行
- 7.3.16 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.17 主動制動
- 7.3.18 輸出 PWM 開關頻率
- 7.3.19 死區(qū)時間補償
- 7.3.20 電壓檢測調節(jié)
- 7.3.21 電機停止運轉選項
- 7.3.22 FG 配置
- 7.3.23
保護功能
- 7.3.23.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.23.2 AVDD 上電復位 (AVDD_POR)
- 7.3.23.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.23.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.23.5 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 7.3.23.6 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 7.3.23.7 熱關斷 (OTSD)
- 7.3.23.8 硬件鎖定檢測電流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
- 7.3.23.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.23.10 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.23.11 電機鎖定檢測
- 7.3.23.12 MPET 故障
- 7.3.23.13 IPD 故障
- 7.3.23.14 空運行檢測
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 8 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 9 RAM（易失性）寄存器映射
- 10典型應用
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
5 引腳配置和功能
圖 5-1 MCF8329HS-Q132 引腳 WQFN（帶有外露散熱焊盤）頂視圖表 5-1 引腳功能
| 引腳 | 32 引腳封裝 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | MCF8329HS-Q1 | |||
| AGND | 23 | GND | 器件模擬接地 | |
| AVDD | 24 | PWR | 3.3 或 5V 穩(wěn)壓器輸出。在 AVDD 和 AGND 引腳之間連接一個 X7R，1μF 或 2.2μF，10V 的陶瓷電容器。該穩(wěn)壓器可為外部電路拉取高達 50mA 的電流。在工作電壓 (AVDD) 和溫度降額后，AVDD 電容器應具有 0.5μF 到 2.8μF 之間的有效電容。 | |
| BSTA | 7 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTA 和 SHA 之間連接一個 X7R，1μF，25V 陶瓷電容器。 | |
| BSTB | 11 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTB 和 SHB 之間連接一個 X7R，1μF，25V 陶瓷電容器。 | |
| BSTC | 15 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTC 和 SHC 之間連接一個 X7R，1μF，25V 陶瓷電容器。 | |
| CPH | 5 | PWR | 電荷泵開關節(jié)點。在 CPH 引腳和 CPL 引腳之間連接一個 X7R、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| CPL | 4 | PWR | ||
| DGND | 1 | GND | 器件數(shù)字接地 | |
| DRVOFF | 22 | I | 獨立驅動器關斷路徑。通過將柵極驅動器置于下拉狀態(tài)，將 DRVOFF 拉高可關斷所有外部 MOSFET。該信號繞過并覆蓋數(shù)字和控制內核。 | |
| DVDD | 32 | PWR | 1.5V 內部穩(wěn)壓器輸出。在 DVDD 和 DGND 引腳之間連接一個 X7R，1μF 或 2.2μF，10V 的陶瓷電容器。在工作電壓 (DVDD) 和溫度降額后，DVDD 電容器應具有 0.5μF 到 2.8μF 之間的有效電容。 | |
| EXT_WD | 29 | I | 用于外部 MCU 監(jiān)控的看門狗輸入 | |
| FG | 26 | O | 電機速度指示器：開漏輸出，需要一個連接到 1.8V 至 5V 電壓的上拉電阻器。通過將 PULLUP_ENABLE 設置為 1b，可啟用連接到 AVDD 的可選內部上拉電阻器；啟用內部上拉電阻器時，不應使用外部上拉電阻器。 | |
| GHA | 9 | O | 高側柵極驅動器輸出。連接到高側功率 MOSFET 的柵極 | |
| GHB | 13 | O | 高側柵極驅動器輸出。連接到高側功率 MOSFET 的柵極 | |
| GHC | 17 | O | 高側柵極驅動器輸出。連接到高側功率 MOSFET 的柵極 | |
| GLA | 10 | O | 低側柵極驅動器輸出。連接到低側功率 MOSFET 的柵極 | |
| GLB | 14 | O | 低側柵極驅動器輸出。連接到低側功率 MOSFET 的柵極 | |
| GLC | 18 | O | 低側柵極驅動器輸出。連接到低側功率 MOSFET 的柵極 | |
| GND | 2 | GND | 器件電源接地 | |
| GVDD | 6 | PWR | 柵極驅動器電源輸出。在 GVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X7R，額定電壓為 30V，局部電容 ≥ 10μF 的陶瓷電容器。TI 建議使用 >10x CBSTx 的電容值和至少兩倍于引腳正常工作電壓的額定電壓。 | |
| HALL_IN/nMCU_RST | 30 | I/O | 通用引腳。單個（3.3V 或 5V）數(shù)字霍爾鎖存器（可選）輸入，用于在電機鎖定檢測中實現(xiàn)冗余，或在發(fā)生看門狗超時故障時向外部 MCU 提供低電平有效（通過內部上拉至 AVDD）復位信號。 | |
| LSS | 19 | PWR | 低側源極引腳，連接此處外部低側 MOSFET 的所有源極。該引腳是低側柵極驅動器的灌電流路徑，并用作監(jiān)測低側 MOSFET VDS 電壓和 VSEN_OCP 電壓的輸入。 | |
| nFAULT | 31 | O | 故障指示器。故障條件下拉至邏輯低電平；開漏輸出需要一個連接到 1.8V 至 5V 電壓的上拉電阻器。通過將 PULLUP_ENABLE 設置為 1b，可啟用連接到 AVDD 的可選內部上拉電阻器；啟用內部上拉電阻器時，不應使用外部上拉電阻器 | |
| PVDD | 3 | PWR | 柵極驅動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X7R，0.1μF，額定電壓大于 2 倍 PVDD，局部電容大于 10μF 的陶瓷電容器。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| SCL | 28 | I | I2C 時鐘輸入 | |
| SDA | 27 | I/O | I2C 數(shù)據線 | |
| SHA | 8 | I/O | 高側源極引腳。連接到高側功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側柵極驅動器灌電流的輸出。 | |
| SHB | 12 | I/O | 高側源極引腳。連接到高側功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側柵極驅動器灌電流的輸出。 | |
| SHC | 16 | I/O | 高側源極引腳。連接到高側功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側柵極驅動器灌電流的輸出。 | |
| SN | 21 | I | 電流檢測放大器輸入。連接到電流采樣電阻的低側。 | |
| SP | 20 | I | 低側分流放大器輸入。連接到低側功率 MOSFET 源極和電流分流電阻器的高側。 | |
| SPEED/WAKE | 25 | I | 多功能輸入。 器件睡眠/喚醒輸入。 器件速度輸入；支持基于模擬、PWM 或頻率的基準（速度或電流或功率或電壓）輸入。 |
|
| 散熱焊盤 | - | PWR | 必須接地 | |
(1) I = 輸入，O = 輸出，GND = 接地引腳，PWR = 電源，NC = 無連接