ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
PRODUCTION DATA
在半橋橋臂中高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的開關(guān)瞬間之間插入了死區(qū)時間,以避免發(fā)生擊穿情況。由于存在死區(qū)時間插入,相節(jié)點上的預(yù)期電壓與施加的電壓會因相電流方向而異。相節(jié)點電壓失真會在相電流中引入不必要的失真,進(jìn)而導(dǎo)致可聞噪聲。由于死區(qū)時間而導(dǎo)致的電流波形失真在 dq 坐標(biāo)系中顯示為基頻的六次諧波。MCF8329HS-Q1集成了專有死區(qū)時間補償技術(shù),從而緩解因死區(qū)時間導(dǎo)致的電流失真??梢酝ㄟ^配置 DEADTIME_COMP_EN 來啟用或禁用死區(qū)時間補償。即使 DEADTIME_COMP_EN 設(shè)置為 1b(啟用補償),也會在電機電氣頻率超過 108Hz 時禁用死區(qū)時間補償。