4 測(cè)試設(shè)置

圖 4-1 展示了硬件測(cè)試設(shè)置。測(cè)量中使用了兩個(gè)采用 HU3PAK 封裝的 SiC MOSFET，其典型導(dǎo)通狀態(tài)電阻為 R_DS = 25mΩ。MOSFET S_LS 的漏極和源極引腳焊接在一起，以保持低阻抗短路。MOSFET S_HS 由 UCC21750-Q1 柵極驅(qū)動(dòng)器控制，柵極驅(qū)動(dòng)器信號(hào)由控制 PCB 利用 LAUNCHXL-F280025C launchpad 生成。討論的所有三個(gè)短路檢測(cè)電路都在 PCB 上實(shí)現(xiàn)。對(duì)于直流鏈路電容器，使用了總?cè)葜禐?C_B = 20μF 的薄膜電容器。換向電容使用多層陶瓷片式電容器 (MLCC)，容值為 C_C = 100nF（除非另有說明），以提供低電感換向路徑。所有短路檢測(cè)方法的觸發(fā)閾值均設(shè)置為 100A。下面將分析每種檢測(cè)方法的測(cè)量結(jié)果。每次測(cè)量期間，僅啟用一種方法，另外兩種方法處于停用或刪除狀態(tài)。