ZHCAFY1 November   2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1

1.   1
2.   摘要
3.   商標(biāo)
4. 1簡(jiǎn)介
   1. 1.1 SiC 和 IGBT 間的主要區(qū)別
   2. 1.2 系統(tǒng) SCP 響應(yīng)時(shí)間要求
   3. 1.3 不同 SCP 位置
5. 2短路機(jī)制
6. 3短路檢測(cè)方法
   1. 3.1 基于分流器的方法
   2. 3.2 基于去飽和的方法
   3. 3.3 基于霍爾效應(yīng)傳感器的方法
7. 4測(cè)試設(shè)置
8. 5測(cè)量結(jié)果
   1. 5.1 基于分流器的測(cè)量
   2. 5.2 基于去飽和的測(cè)量
   3. 5.3 霍爾效應(yīng)傳感器測(cè)量
   4. 5.4 性能比較
9. 6結(jié)語(yǔ)
10. 7參考資料