DESAT 保護廣泛用于 IGBT 的短路保護。該電路在導(dǎo)通狀態(tài)期間間接測量 MOSFET 的漏源電壓，以檢測短路。圖 3-3 展示了簡化的電路。

DESAT 保護電路由一個電阻器消隱電容器和一個二極管組成。當(dāng)器件導(dǎo)通時，電流源為消隱電容器充電并且二極管導(dǎo)通。在正常工作期間，電容器電壓被鉗位在器件的正向電壓。發(fā)生短路時，電容器電壓會快速充電至閾值電壓，從而觸發(fā)器件關(guān)斷。

如圖 3-4 所示，為了確保開關(guān)瞬態(tài)不會干擾去飽和檢測，需要仔細選擇電流 i_desat 和電容器 C_desat，以定義適當(dāng)?shù)南[時間 t_blk。為了增加電流 i_desat 并縮短反應(yīng)時間，實現(xiàn)了具有正向電壓 u_D2 的二極管 D₂ 和電阻器 R₂。如果忽略阻斷二極管 D₁ 所需的時間，消隱時間 t_blk 可以通過以下公式估算得出

其中 U_dd 是柵極驅(qū)動器的電源電壓。

當(dāng)檢測到故障時，柵極驅(qū)動器會啟動軟關(guān)斷，從 MOSFET 柵極拉取 400mA 的恒定電流，以確認漏源電壓具有低過沖。