ZHCAFY1 November 2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1
5.3 霍爾效應(yīng)傳感器測(cè)量
對(duì)于基于霍爾效應(yīng)的測(cè)量，需要修改導(dǎo)通柵極電阻 RG,on 以檢測(cè)短路事件。同時(shí)還可以通過(guò)增大導(dǎo)通電阻 RG,on 來(lái)降低電流的轉(zhuǎn)換率。
因此，在這些測(cè)量中，電阻 RG,on 從 15Ω 增大到 25Ω。圖 5-5 顯示了使用基于霍爾傳感器的短路檢測(cè)的測(cè)量結(jié)果。在 0ns 時(shí)，柵源電壓 uGS 達(dá)到 SiC MOSFET 的閾值電壓，并且電流 iSC 開始上升。故障信號(hào) uhall 在 700ns 時(shí)快速下降，從而禁用柵極驅(qū)動(dòng)器。在 830ns 時(shí)，柵源電壓 uGS 開始下降，安全地關(guān)斷 MOSFET SHS。漏源電壓 uDS 中的最大過(guò)沖達(dá)到 1090V。
圖 5-5 RG,off = 35Ω 時(shí)基于霍爾效應(yīng)的方法的波形