ZHCAFY1 November 2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1
5.2 基于去飽和的測(cè)量
本節(jié)討論對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21750-Q1 使用集成去飽和檢測(cè)的測(cè)量結(jié)果。表 5-1 列出了各元件的關(guān)鍵值，得到理論消隱時(shí)間為 tblk = 1μs。
表 5-1 去飽和設(shè)置的元件概述
| 器件 | 值 |
|---|---|
| R2 | 30kΩ |
| uD2 | 0.3V |
| Cdesat | 100pF |
圖 5-4 展示了使用去飽和方法的測(cè)量結(jié)果。一旦柵源電壓 uGS 在 0ns 時(shí)達(dá)到 SiC MOSFET 的閾值電壓，電流 iSC 就會(huì)開(kāi)始上升。同時(shí)，電壓 udesat 開(kāi)始增大，在 1600ns 時(shí)達(dá)到最大值，指示柵極驅(qū)動(dòng)器出現(xiàn)過(guò)流。檢測(cè)完成后，柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始緩慢關(guān)斷 SiC MOSFET。由于軟關(guān)斷事件，漏源電壓過(guò)沖在 1700ns 時(shí)僅達(dá)到 940V。
圖 5-4 采用軟關(guān)斷的基于去飽和的方法的波形