ZHCAFY1 November 2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1
本技術(shù)白皮書針對(duì)高壓 SiC MOSFET 的短路保護(hù)方案，對(duì)三種保護(hù)方法進(jìn)行了全面分析：基于分流器的檢測(cè)、去飽和方法和基于霍爾效應(yīng)的檢測(cè)?；诜至髌鞯姆椒ㄔ诘碗姼须娐分芯哂凶羁斓捻憫?yīng)速度和最低的實(shí)現(xiàn)成本。在所考察的方法中，去飽和檢測(cè)的成本相對(duì)較高，響應(yīng)時(shí)間較慢，但其優(yōu)勢(shì)在于過(guò)沖較低?；魻杺鞲衅麟m是一種具有成本效益的選擇，但需要額外措施來(lái)應(yīng)對(duì)高 diSC/dt 場(chǎng)景。PCB 布局優(yōu)化、元件選擇和特定于應(yīng)用的要求等不同因素之間的平衡，是增強(qiáng) HEV/EV 系統(tǒng)中 SiC MOSFET 可靠性的關(guān)鍵。
本文的研究工作在 Flex Automotive 的 Vinay Kumar Krishnappa、Christoph Ludecke 和 Jan Riedel 的密切合作下完成，文中的測(cè)試結(jié)果首次發(fā)表于 PCIM 2025 上 [20]。