ZHCAFY1 November 2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1
SiC MOSFET 已成為電動(dòng)汽車系統(tǒng)中高壓開關(guān)的普遍選擇。在使用 SiC MOSFET 的高壓和大功率設(shè)計(jì)中，檢測可能導(dǎo)致直流鏈路短路和熱危險(xiǎn)的任何故障非常重要。為了便于快速斷開 HV 電池連接并改善熱風(fēng)險(xiǎn)防護(hù)，本技術(shù)白皮書探討了 SiC MOSFET 的三種短路檢測策略：基于分流器的檢測、去飽和方法和基于霍爾效應(yīng)電流傳感器的檢測。文中提供了測量結(jié)果，以在響應(yīng)時(shí)間、精度、成本等方面對(duì)這三種不同的方法進(jìn)行比較。分析了每種方法的優(yōu)點(diǎn)和局限性，并提出了故障管理方面的見解。