ZHCSIA0C May 2018 – September 2025 TAS3251
PRODUCTION DATA
TAS3251 為每個半橋柵極驅(qū)動內(nèi)置自舉電源,可用于為高側(cè) MOSFET 供電,每個半橋只需一個電容器。這些電容器連接在各半橋輸出端,當(dāng) PWM 輸出處于低電平狀態(tài)時,它們通過內(nèi)部二極管由 GVDD 電源充電。當(dāng)輸出 PWM 為高電平時,高側(cè)柵極驅(qū)動由 BST 電容器上的電壓供電。建議將 BST 電容器放置在靠近 TAS3251 器件的位置,并盡量縮短 PCB 布線長度。在 BST_xx 引腳和相應(yīng)的輸出級 SPK_OUTxx 引腳之間連接一個 0.033μF、耐壓至少 25V 的陶瓷電容器。