圖 8-8 顯示了 LP8866S-Q1 的布局建議，用于說(shuō)明良好布局原理。如果可能，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用布局進(jìn)行調(diào)整。所有升壓元件必須彼此靠近并且靠近芯片；高電流布線(xiàn)必須足夠?qū)?。VDD 必須盡可能無(wú)噪聲。在 VDD 和 GND 引腳附近放置VDD 旁路電容器。電荷泵電容器、升壓輸入電容器及升壓輸出電容器必須具有最靠近 GND 的 VIA。將電荷泵電容器靠近器件放置。指導(dǎo) PCB 布局設(shè)計(jì)的要點(diǎn)：
- 需要盡可能減少電流環(huán)路：
- 對(duì)于低頻，可通過(guò)將升壓元件盡可能彼此靠近放置來(lái)實(shí)現(xiàn)最小電流環(huán)路。輸入電容器和輸出電容器接地需要彼此靠近，以盡可能減小電流環(huán)路尺寸。
- 通過(guò)確保接地平面在電流跡線(xiàn)下方完好無(wú)損，可以實(shí)現(xiàn)更大程度的高頻電流環(huán)路。高頻返回電流遵循阻抗最小的布線(xiàn)，即環(huán)路面積最小的布線(xiàn)，不一定是最短的路徑。如果返回電流在接地平面正 電流線(xiàn)路正下方流動(dòng)，并且接地平面在布線(xiàn)下方完好無(wú)損，則會(huì)形成最小的環(huán)路面積。
- 對(duì)于高頻，必須考慮銅面積的電容。例如，升壓 N-MOSFET 漏極的覆銅區(qū)是在電容與元件的冷卻能力之間進(jìn)行權(quán)衡的結(jié)果。
- GND 平面必須在高電流升壓布線(xiàn)下方完好無(wú)損，從而在高頻下提供盡可能短的返回路徑和盡可能小的電流環(huán)路。
- 在輸出電容器不直接從二極管陰極連接之后，將升壓輸出電壓 (VOUT) 連接到 LED、FB 引腳和放電引腳。
- FB 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)盡可能靠近 FB 引腳放置，而不是靠近升壓輸出
- 可將一個(gè)小型旁路電容器（TI 建議適用一個(gè) 39 pF 電容器）放置在靠近 FB 引腳和 GND 的位置，以抑制高頻噪聲
- VDD 線(xiàn)路必須與升壓轉(zhuǎn)換器的大電流電源路徑分離，以防止高頻紋波影響芯片行為。
- 建議使用連接至電荷泵輸出 CPUMP 的電容器以具有 10μF 電容。該電容器必須盡可能靠近 CPUMP 引腳。該電容器為柵極驅(qū)動(dòng)器提供更大的峰值電流，即使電荷泵處于禁用狀態(tài)，也必須使用該電容器。如果禁用電荷泵，則 VDD 和 CPUMP 引腳必須連接在一起。
- 輸入和輸出電容器需要低阻抗接地（寬引線(xiàn)具有多個(gè)連接至 GND 平面的過(guò)孔）。
- 輸入/輸出陶瓷電容器具有 DC 偏置效應(yīng)。如果輸出電容過(guò)低，則會(huì)導(dǎo)致升壓在某些負(fù)載條件下變得不穩(wěn)定。直流偏置特性應(yīng)當(dāng)從元件制造商處獲得；DC 偏置不考慮元件容差。