ZHCSLM9C August 2020 – January 2026 LP8866S-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.2.1.2.12 設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元件
圖 8-2 顯示了電路的關(guān)鍵部分：升壓元件、LP8866S-Q1 內(nèi)部電荷泵（用于柵極驅(qū)動(dòng)器供電）以及 LP8866S-Q1 供電/接地。原理圖示例如圖 8-2 所示。
圖 8-2 全功能設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元件表 8-3 全功能設(shè)計(jì)示例的建議元件值
| 參考位號(hào) | 說(shuō)明 | 注釋 |
|---|---|---|
| RISENSE | 20mΩ，3W | 輸入電流檢測(cè)電阻 |
| RSD | 20kΩ，0.1W | 電源線 FET 柵極上拉電阻 |
| RSENSE | 30mΩ，3 W | 升壓電流檢測(cè)電阻器 |
| RG | 15Ω，0.1W | 用于控制 EMC 的 nMOSFET 上升/下降時(shí)間的柵極電阻器 |
| RUVLO1 | 76.8kΩ，0.1 W | 這些 UVLO 電阻設(shè)置將 VIN_UVLO 上升電壓設(shè)置為 3.75V，將 VIN_UVLO 下降電壓設(shè)置為 3.35V |
| RUVLO2 | 20.5kΩ，0.1 W | |
| RFB3 | 0Ω，0.1W | 除非對(duì)電阻器進(jìn)行 100kΩ 限制，否則不需要 |
| RFB2 | 100kΩ，0.1 W | 底部反饋分壓電阻器 |
| RFB1 | 910kΩ，0.1 W | 頂部反饋分壓電阻器 |
| RBST_FSET | 3.92kΩ，0.1 W | 升壓頻率設(shè)置電阻器 (400kHz) |
| RISET | 20.8kΩ，0.1 W | 電流設(shè)置電阻器（每通道 150mA） |
| RPWM_FSET | 17.8k?，0.1 W | 輸出 PWM 頻率設(shè)置電阻（4.88kHz PWM 頻率，可以避免可聞噪聲） |
| RMODE | 3.92k?，0.1 W | 模式電阻器（具有 0x2B I2C 地址的相移 PWM 模式） |
| RLED_SET | 3.92k?，0.1 W | LED_SET 電阻器（6 通道配置） |
| CPUMP | 10μF、10V 陶瓷電容器 | 電荷泵輸出電容器 |
| C2X | 2.2μF、10V 陶瓷電容器 | 飛跨電容器 |
| CVDD | 4.7μF + 0.1μF、10V 陶瓷電容器 | VDD 旁路電容器 |
| CIN | 1 × 33μF、50V 電解電容器 + 1 × 10μF、50V 陶瓷電容器 | 升壓輸入電容器 |
| COUT | 1 × 33μF、50V 電解電容器 + 1 × 10μF、50V 陶瓷電容器 | 升壓輸出電容器 |
| L1 | 22μH 飽和電流 6.5A | 升壓電感器 |
| D1 | 50V、6.5A 肖特基二極管 | 升壓肖特基二極管 |
| Q1 | 60V、15A nMOSFET | 升壓 nMOSFET |
| Q2 | 60V、15A pMOSFET | 電源線 FET |